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资料

型号: IRFR3806PBF

品牌: International Rectifier (国际整流器)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

9622

5+

￥6.6150

25+

￥6.1250

50+

￥5.7820

100+

￥5.6350

500+

￥5.5370

2500+

￥5.4145

5000+

￥5.3655

10000+

￥5.2920

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型号: IRFR5305PBF

品牌: International Rectifier (国际整流器)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR5305PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, D-PAK 新

9955

10+

￥8.7120

100+

￥8.2764

500+

￥7.9860

1000+

￥7.9715

2000+

￥7.9134

5000+

￥7.8408

7500+

￥7.7827

10000+

￥7.7537

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型号: IRFR3410PBF

品牌: International Rectifier (国际整流器)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: N沟道,100V,31A,39mΩ@10V

3272

10+

￥8.7120

100+

￥8.2764

500+

￥7.9860

1000+

￥7.9715

2000+

￥7.9134

5000+

￥7.8408

7500+

￥7.7827

10000+

￥7.7537

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型号: IPD90R1K2C3

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: INFINEON IPD90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

5540

5+

￥5.7375

25+

￥5.3125

50+

￥5.0150

100+

￥4.8875

500+

￥4.8025

2500+

￥4.6963

5000+

￥4.6538

10000+

￥4.5900

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型号: IPD80R1K4CE

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

3064

5+

￥4.4955

25+

￥4.1625

50+

￥3.9294

100+

￥3.8295

500+

￥3.7629

2500+

￥3.6797

5000+

￥3.6464

10000+

￥3.5964

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型号: IPD50R950CE

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: 500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFET

5106

5+

￥2.8350

25+

￥2.6250

50+

￥2.4780

100+

￥2.4150

500+

￥2.3730

2500+

￥2.3205

5000+

￥2.2995

10000+

￥2.2680

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型号: IPD50R380CE

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

5116

5+

￥4.6035

25+

￥4.2625

50+

￥4.0238

100+

￥3.9215

500+

￥3.8533

2500+

￥3.7681

5000+

￥3.7340

10000+

￥3.6828

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型号: IPD090N03LG

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

2083

5+

￥2.0520

25+

￥1.9000

50+

￥1.7936

100+

￥1.7480

500+

￥1.7176

2500+

￥1.6796

5000+

￥1.6644

10000+

￥1.6416

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型号: FQD10N20CTM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V

2873

5+

￥5.1165

25+

￥4.7375

50+

￥4.4722

100+

￥4.3585

500+

￥4.2827

2500+

￥4.1880

5000+

￥4.1501

10000+

￥4.0932

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型号: FQD16N25CTM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

8760

5+

￥3.9825

25+

￥3.6875

50+

￥3.4810

100+

￥3.3925

500+

￥3.3335

2500+

￥3.2598

5000+

￥3.2303

10000+

￥3.1860

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型号: FQD12N20LTM

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD12N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.22 ohm, 10 V, 2 V

6474

5+

￥4.6980

25+

￥4.3500

50+

￥4.1064

100+

￥4.0020

500+

￥3.9324

2500+

￥3.8454

5000+

￥3.8106

10000+

￥3.7584

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型号: FDD7N60NZTM

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

5201

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型号: FDD7N25LZTM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD7N25LZTM, 6.2 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

5968

5+

￥3.3750

25+

￥3.1250

50+

￥2.9500

100+

￥2.8750

500+

￥2.8250

2500+

￥2.7625

5000+

￥2.7375

10000+

￥2.7000

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型号: BUK9222-55A

品牌: NXP (恩智浦)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: 的TrenchMOS逻辑电平 TrenchMOS logic level

9413

10+

￥1.3365

50+

￥1.2672

100+

￥1.2177

300+

￥1.1880

500+

￥1.1583

1000+

￥1.1286

2500+

￥1.0841

5000+

￥1.0742

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型号: SVD2955T4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: SVD2955T4G 编带

9783

5+

￥4.7250

25+

￥4.3750

50+

￥4.1300

100+

￥4.0250

500+

￥3.9550

2500+

￥3.8675

5000+

￥3.8325

10000+

￥3.7800

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型号: STD4NK100Z

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

4716

10+

￥7.8120

100+

￥7.4214

500+

￥7.1610

1000+

￥7.1480

2000+

￥7.0959

5000+

￥7.0308

7500+

￥6.9787

10000+

￥6.9527

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型号: STD8N60DM2

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: N-沟道 600 V 600 mOhm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

7207

10+

￥7.2360

100+

￥6.8742

500+

￥6.6330

1000+

￥6.6209

2000+

￥6.5727

5000+

￥6.5124

7500+

￥6.4642

10000+

￥6.4400

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型号: STD5N20LT4

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: STMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V

7035

5+

￥1.5525

25+

￥1.4375

50+

￥1.3570

100+

￥1.3225

500+

￥1.2995

2500+

￥1.2708

5000+

￥1.2593

10000+

￥1.2420

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型号: STD2NK100Z

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: STMICROELECTRONICS STD2NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V

4286

5+

￥3.7665

25+

￥3.4875

50+

￥3.2922

100+

￥3.2085

500+

￥3.1527

2500+

￥3.0830

5000+

￥3.0551

10000+

￥3.0132

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型号: STD3NK100Z

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

6689

5+

￥6.4530

25+

￥5.9750

50+

￥5.6404

100+

￥5.4970

500+

￥5.4014

2500+

￥5.2819

5000+

￥5.2341

10000+

￥5.1624

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型号: STD120N4F6

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: N沟道40 V ， 3.5 MI © ， 80 A， DPAK ， DÂ²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mÎ© , 80 A, DPAK, DÂ²PAK STripFETâ¢ VI DeepGATEâ¢ Power MOSFET

9826

5+

￥4.2930

25+

￥3.9750

50+

￥3.7524

100+

￥3.6570

500+

￥3.5934

2500+

￥3.5139

5000+

￥3.4821

10000+

￥3.4344

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型号: SPD06N80C3

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: INFINEON SPD06N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V

9271

10+

￥6.6480

100+

￥6.3156

500+

￥6.0940

1000+

￥6.0829

2000+

￥6.0386

5000+

￥5.9832

7500+

￥5.9389

10000+

￥5.9167

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型号: SPD18P06PG

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: 60V,-18.6A,P沟道功率MOSFET

8936

10+

￥8.7240

100+

￥8.2878

500+

￥7.9970

1000+

￥7.9825

2000+

￥7.9243

5000+

￥7.8516

7500+

￥7.7934

10000+

￥7.7644

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型号: SPD09P06PL

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

7790

10+

￥8.3880

100+

￥7.9686

500+

￥7.6890

1000+

￥7.6750

2000+

￥7.6191

5000+

￥7.5492

7500+

￥7.4933

10000+

￥7.4653

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型号: NVD2955T4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: â ???? 60 V，A ???? 12 A， PA ????频道DPAK â60 V, â12 A, PâChannel DPAK

3559

5+

￥2.5785

25+

￥2.3875

50+

￥2.2538

100+

￥2.1965

500+

￥2.1583

2500+

￥2.1106

5000+

￥2.0915

10000+

￥2.0628

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型号: NTD2955T4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: ON SEMICONDUCTOR NTD2955T4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

6103

5+

￥3.1725

25+

￥2.9375

50+

￥2.7730

100+

￥2.7025

500+

￥2.6555

2500+

￥2.5968

5000+

￥2.5733

10000+

￥2.5380

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型号: FQD2N100TM

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V

6912

5+

￥4.5225

25+

￥4.1875

50+

￥3.9530

100+

￥3.8525

500+

￥3.7855

2500+

￥3.7018

5000+

￥3.6683

10000+

￥3.6180

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型号: FQD17P06TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD17P06TM, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

5649

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型号: FQD2N60CTM

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

1847

10+

￥8.7120

100+

￥8.2764

500+

￥7.9860

1000+

￥7.9715

2000+

￥7.9134

5000+

￥7.8408

7500+

￥7.7827

10000+

￥7.7537

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型号: FQD2N100TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

6192

5+

￥2.3085

25+

￥2.1375

50+

￥2.0178

100+

￥1.9665

500+

￥1.9323

2500+

￥1.8896

5000+

￥1.8725

10000+

￥1.8468

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